TCB 热压键合通过精准协同控温控压，在微凸点界面形成稳定金属互连，实现超细间距、高密度芯片与基板之间的电气导通与机械结合。 它是 HBM、Chiplet、光芯片集成等高密互连场景的核心工艺，直接决定互连良率、阻抗一致性与模组长期稳定性。

行业挑战和解决方案 

TCB 超细凸点间隙狭小，制程中极易出现表面氧化、润湿性不足、助焊剂残留难以清除、桥连、界面空洞等问题，对焊材洁净度、低残留特性要求严苛。 

华庆配套 TCB 专用锡膏、预成型焊片与低残留助焊剂，可适配真空与甲酸气氛热压工艺，保障微凸点充分润湿，减少残留污染，助力客户实现高良率高密度微凸点键合。